Resumen de Propiedades electrónicas del silicio policristalino, aplicación a dispositivos M.I.S.S. de conmutación
Francisco Javier Martínez Rodríguez 
Se ha estudiado los fenomenos de transporte en silicio policristalino comparando las propiedades electronicas con el valor que se obtiene en el monocristal. A partir de medidas experimentales se han desarrollado diferentes metodos para poder determinar propiedades intrinsecas de las fronteras de grano. Se han fabricado dispositivos de conmutacion miss utilizando como capa i silicio mediante cañon de electrones. Se ha estudiado como depende la tension de conmutacion del dispositivo en funcion del espesor de la capa de silicio policristalino evaporada. Se ha realizado un modelo fisico que explica el fenomeno de la conmutacion en estos dispositivos.
