Resumen de Difusión asistida por láser en arseniuro de galio
Basilio Javier García Carretero
Se ha desarrollado un nuevo metodo de difusion de impurezas en gaas que consiste en aprovechar el calentamiento superficial producido en el sustrato por la irradiacion con un laser pulsado, para inducir la difusion en fase liquida de las impurezas presentes en la superficie. Se ha realizado el proceso descrito para difundir sn, ge y zn a partir de capas evaporadas de estos elementos. Los analisis, mediante sem, efecto hall, sims y spreading resistance muestran la existencia de una capa superficial muy dopada, dependiendo el nivel de dopaje alcanzado, del tipo de impureza y de la energia de irradiacion, obteniendose concentraciones n en el rango 10 18-10 19cm-3 (ge y sn) y p en el rango 10 20-10 21cm-3 (zn). Se ha modelizado los procesos de fusion y difusion mediante calculos numericos, mostrandose coeficientes de difusion superiores a 10-4cm2/. Se ha realizado y caracterizado dispositivos mesfet utilizando la tecnica descrita para formar los contactos de fuente y drenador.
