Study of bistable defects created after high-temperature annealing in <f>34 MeV</f> proton irradiated Si diodes

• Autores: S. My, L. Fiore, Piergiulio Tempesta , D. Creanza, D. Giordano, V. Radicci, N. Manna, M. de Palma
• Localización: Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, ISSN 0168-9002, Vol. 530, Nº. 1, 2004, págs. 128-133
• Idioma: inglés
• DOI: 10.1016/j.nima.2004.05.060
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