Las memorias cache se han implementadonormalmente con tecnología SRAM. Esta tecnología presenta un tiempo de acceso rápido pero consumode energía elevado y baja densidad. Al contrario,la reciente tecnología eDRAM permite quelas caches tengan menor consumo de energ´ıa y ´area,aunque un tiempo de acceso m´as lento. La tecnolog´ıaeDRAM ofrece una reducción significativa de leakagey área, especialmente en LLCs grandes que ocupancasi la mitad del área de silicio en algunos microprocesadoresrecientes.Este art´ıculo propone una LLC h´ıbrida que combinabancos SRAM y eDRAM para abordar el compromisoexistente entre prestaciones y energ´ıa. Coneste fin, se explora la proporci´on ´optima de bancosSRAM y eDRAM que consigue el mejor compromiso.Se consideran mecanismos arquitect´onicos para mantenerlos bloques MRU en bancos SRAM r´apidos as´ıcomo para evitar lecturas destructivas innecesarias.Los resultados experimentales muestran que, comparadocon una LCC SRAM convencional, ladegradaci´on de prestaciones no sobrepasa 2.9% enla media (incluso con un 12.5% de bancos SRAM),mientras que la reducci´on de ´area puede llegar hastaun 46% para una LLC de 1MB-16v´ıas. Para unatecnolog´ıa de 45nm, la m´etrica ED2P confirma queuna cache h´ıbrida resulta en un dise˜no mejor queuna cache SRAM convencional independientementedel n´umero de bancos eDRAM, y tambi´en mejor queuna cache eDRAM convencional cuando el n´umero debancos SRAM es un cuarto o un octavo de los bancosde cache.
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