Simulación estacionaria de una colada de silicio

Alfredo Bermúdez ^[1] ; Javier Bullón ^[2] ; Francisco Pena ^[1]
1. [1] Universidade de Santiago de Compostela
  
  Universidade de Santiago de Compostela
  
  Santiago de Compostela, España
2. [2] Ferroatlántica I+D. Polígono de Sabón. Arteixo, A Coruña
Localización: XVII Congreso de Ecuaciones Diferenciales y Aplicaciones ; VII Congreso de Matemática Aplicada: Salamanca, 14-28 septiembre 2001 / coord. por Luis Ferragut Canals , Anastasio Pedro Santos Yanguas , 2001, ISBN 8469961446, págs. 681-682
Idioma: español
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Resumen
- En este trabajo se modela el comportamiento térmico de una colada de silicio. Se plantea un modelo estacionario bidimensional para la temperatura y se propone un algoritmo para su resolución. Se contempla el movimiento y cambio de estado del silicio, así como una resistencia térmica entre el silicio y la plancha de cobre sobre la que solidifica.