Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio

• Autores: J. García, Juan Rafael Sendra Pons , Francisco Javier del Pino Suárez, A. Hernández, Francisco Ballestín González
• Localización: Vector plus: miscelánea científico - cultural, ISSN 1134-5306, Nº. 19, 2002, págs. 28-33
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.

  • English

    Some physical properties of semiconductor materials can be measured by applying a laser beam on and analyzing the resulting conduction phenomena. However, incident radiation may increase the material temperature to the point of turning out erroneous measured values.This work deals with the study of this technique when applied to the characterization of GaAs material.

    The analysis method is based on numerical simulation, under experimental constraints, of the actual situation. The results limit the maximum applied laser beam power, maintaining the material temperature into acceptable values.